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    电磁兼容中ESD静电放电整改选什么器件

    放大字体  缩小字体 发布日期:2024-11-15 15:18:36   浏览次数:1  发布人:ffd4****  IP:124.223.189***  评论:0
    导读

    在电磁兼容中,为了对抗静电放电(ESD)的影响,通常需要使用静电抑制器、TVS二极管、压敏电阻、瞬态抑制二极管和滤波器与屏蔽等。静电抑制器:这些器件可以防止静电电荷的积累,并在发生静电放电时提供一个安全的放电路径,从而保护敏感的电子设备不受损害。TVS二极管:也称为瞬态电压抑制器,它们能在毫秒级别内响应,将静电放电产生的高电压钳位至安全水平,以保护设备中的半导体器件。压敏电阻:当压敏电阻两端的电压

    在电磁兼容中,为了对抗静电放电(ESD)的影响,通常需要使用静电抑制器、TVS二极管、压敏电阻、瞬态抑制二极管和滤波器与屏蔽等。

    静电抑制器:这些器件可以防止静电电荷的积累,并在发生静电放电时提供一个安全的放电路径,从而保护敏感的电子设备不受损害。

    TVS二极管:也称为瞬态电压抑制器,它们能在毫秒级别内响应,将静电放电产生的高电压钳位至安全水平,以保护设备中的半导体器件。

    压敏电阻:当压敏电阻两端的电压超过其阈值时,它的阻值会急剧下降,从而为静电放电提供一个低阻抗的通路,保护电路不受损害。

    瞬态抑制二极管:它们可以吸收或分流高能量的电流尖峰,包括由静电放电引起的那些,从而保护设备不受损害。

    滤波器与屏蔽:使用EMI滤波器可以减少外界静电放电对设备的干扰,而良好的屏蔽设计可以降低静电放电对内部电路的影响。

    需要注意的是,选择哪种器件取决于具体的应用场景和需要保护的设备类型。在进行整改时,应综合考虑设备的工作环境、敏感度以及可能面临的静电放电情况,选择合适的器件进行保护。

     
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